IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор

Расположение выводов IRF740
Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.


 Абсолютные максимальные значения
Параметр Обозначение  Значение  Ед. изм. 
 Напряжение сток-исток VDS  400 В
 Напряжение затвор-исток VGS  ± 20
 Ток стока (постоянный) VGS = 10 В TC = 25 °C ID 10 А
TC = 100 °C 6.3
 Ток стока (импульсный) a IDM 40
 Линейный коэффициент снижения мощности 1.0 Вт/°C
 Энергия одиночного лавинного импульса b EAS 520  мДж
 Повторяющийся лавинный ток a IAR 10 А
 Энергия повторяющегося лавинного импульса a EAR 13  мДж
 Максимальная рассеиваемая мощность  TC = 25 °C PD 125 Вт
 Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dtc dV/dt В/нс
 Температура перехода и температура хранения TJ, Tstg -55…+150 °C
 Максимальная температура припоя в течение 10 с 300d
 Момент затяжки болт М3 1.1 Н·м
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. VDD = 50 В, начальные условия TJ = 25 °C, L = 9.1 мГн, Rg = 25 Ом, IAS = 10 A (см. Рис. 12).
  3. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.
  4. На расстоянии 1.6 мм от корпуса.

 

Тепловое сопротивление
 Параметр Обозначение  Тип.  Макс. Ед. изм.
 Максимум кристалл-окружающая среда RthJA 62 °C/Вт
 Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностью RthCS 0.5
 Максимум кристалл-корпус (сток) RthJC 1.0

 

 

 Спецификации (TJ = 25 °C)
 Параметр  Обозначение  Условия  Мин.  Тип.  Макс.   Ед. изм.
 Статические
 Напряжение пробоя сток-исток  VDS VGS = 0 В, ID = 250 мкA 400 В
 Температурный коэффициент  VDS ΔVDS/TJ Относительно 25 °C, ID = 1 мA 0.49 В/°C
 Пороговое напряжение затвор-исток  VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 мкA 2.0 4.0  В
 Ток утечки затвор-исток IGSS  VGS = ± 20 В ± 100 нА
 Начальный ток стока IDSS VDS = 400 В, VGS = 0 В  — 25 мкА
VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125 °C 250 мкА
 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on) VGS = 10 В ID = 6.0 Ab 0.55 Ом
 Крутизна характеристики gfs VDS = 50 В, ID = 6.0 Ab 5.8 мА/В
 Динамические
 Входная емкость Ciss VGS = 0 В,
VDS = 25 В,
f = 1.0 МГц, см. Рис. 5
1400 пФ
 Выходная емкость Coss 330
 Емкость обратной связи Crss 120
 Суммарный заряд затвора Qg VGS = 10 В  ID = 10 A, VDS = 320 В,
см. Рис 6 и 13b
63 нКл
 Заряд затвор-исток Qgs 9.0
 Заряд затвор-сток Qgd 32
 Время задержки включения td(on) VDD = 200 В, ID = 10 A
Rg = 9.1 Ом, RD = 20 Ом, см. Рис. 10b
14 нс
 Время нарастания tr 27
 Время задержки выключения td(off) 50
 Время спада tf 24
 Внутренняя индуктивность стока LD Между  точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода 4.5 нГн
 Внутренняя индуктивность истока LS 7.5
 Характеристики встроенного паразитного диода
 Постоянный ток через паразитный диод IS Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода

Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода

10 А
 Импульсный ток через диод в прямом направлении ISM  —  40 А
 Напряжение на внутреннем диоде VSD TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 Вb 2.0 В
Время обратного восстановления диода trr TJ = 25 °C, IF = 10 A, dI/dt = 100 A/мксb 370 790 нс
Обратное восстановление заряда Qrr 3.8 8.2 нКл
 Время открытия в прямом направлении ton Внутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров LS и LD)
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.

 

Графики типовых характеристик

Типовые выходные характеристики, TC = 25 °C
Рис.1 Типовые выходные характеристики, TC = 25 °C

Типовые выходные характеристики, TC = 150 °C
Рис. 2 Типовые выходные характеристики, TC = 150 °C

Типовые передаточные характеристики
Рис. 3 Типовые передаточные характеристики

Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры
Рис. 4 Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры

Емкость от напряжения сток-исток
Рис. 5 Емкость от напряжения сток-исток

Заряд на затворе от напряжения сток-исток
Рис. 6 Заряд на затворе от напряжения сток-исток

Прямое напряжение на диоде
Рис. 7 Прямое напряжение на диоде

Максимальная безопасная рабочая область
Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область

Максимальный ток стока от температуры корпуса
Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса

 

Схема для проверки времени переключения
Рис. 10а Схема для проверки времени переключения

 

Осциллограммы определения времени переключения
Рис. 10b Осциллограммы определения времени переключения

 

Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус
Рис. 11 Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус

 

Проверка цепи с индуктивностью
Рис. 12a Проверка цепи с индуктивностью

 

Осциллограммы цепи проверки индуктивности
Рис. 12b Осциллограммы цепи проверки индуктивности

 

Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока
Рис. 12c Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока

 

График заряда на затворе
Рис 13a График заряда на затворе

 

 Схема проверки заряда на затворе
Рис. 13b Схема проверки заряда на затворе

 

 Схема проверки диода
Рис. 14 Схема проверки диода

 

Графики к Рис. 14
Графики к Рис. 14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Купить IRF740
Купить IRF740

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.