IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор

  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии
  • Динамический диапазон dv/dt
  • Рабочая температура 175°C
  • Быстрое переключение
  • С полностью нормированными лавинными параметрами
Обозначение на схеме
Обозначение на схеме

 

Купить IRFZ44N
Купить IRFZ44N.

 

Цоколевка IRFZ44N
Цоколевка IRFZ44N


Абсолютные максимальные значения

 Параметр  Макс. Ед. изм.
 ID при TC = 25°C Постоянный ток стока, при VGS=10 В  49 А
  ID при TC = 100°C Постоянный ток стока, при VGS=10 В 35
 IDM Импульсный ток стока (1)  160
 PD при TC = 25°C Рассеиваемая мощность  94 Вт
Линейный коэффициент снижения мощности 0.63 Вт/ °C
 VGS Напряжение затвор-исток  ± 20  В
 IAR  Лавинный ток (1) 25 А
 EAR Повторяющаяся  лавинная энергия (1)  9.4  мДж
 dv/dt Импульс на восстанавливающемся диоде (3)  5.0  В/нс
TJ и TSTG Рабочая температура p-n перехода и температура хранения от -55 до + 175 °C
Температура пайки, до 10 с 300
Момент затяжки болтом М3 1.1 н∙м

 

Тепловое сопротивление

Параметр Тип. Макс. Ед. изм.
RqJC От кристалла к корпусу 1.5 °C/Вт
RθCS От корпуса к радиатору 0.50
RθJA От кристалла к окружающей среде 62

 

Электрические характеристики при Tj= 25°C (если не указано иное)

Параметр  Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
 V(BR)DSS  Напряжение пробоя сток-исток  55  —  В VGS = 0 В, ID = 250 мкA
 ∆V(BR)DSS/∆TJ Температурный коэффициент напряжения пробоя  — 0.058 В/°C До 25°C, ID = 1 мA
RDS(on) Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии  — 17.5 мОм VGS = 10 В, ID = 25 A (4)
 VGS(th) Пороговое напряжение на  затворе  2.0  — 4.0 В VDS = VGS, ID = 250 мкA
 gfs Крутизна характеристики 19  —  — S VDS = 25 В, ID = 25 A (4)
 IDSS Ток утечки сток-исток  —  —  25 мкА VDS = 55 В, VGS = 0 В
 — 250 VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
  IGSS Ток утечки в прямом направлении  —  100 нА VGS = 20 В
 Ток утечки в обратном направлении  — -100 VGS = -20 В
Qg Суммарный заряд затвора 63 нКл ID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Qgs Заряд между затвором и истоком 14
Qgd Заряд между затвором и стоком 23
 td(on) Время задержки включения  — 12 нс VDD = 28 В,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
tr Время нарастания 60  —
 td(off) Время задержки выключения  — 44  —
 tf  Время спада 45
LD Внутренняя индуктивность стока 4.5 нГн Внутренняя индуктивность
LS Внутренняя индуктивность истока 7.5
Ciss Входная емкость 1470 пФ VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
Coss Выходная емкость 360
Crss Обратная переходная емкость 88
EAS Энергия единичного лавинного импульса (2) 530 (5) 150 (6) мДж IAS = 25 A, L = 0.47 мГн

 

Исток — сток значения и характеристики

Параметр Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
IS Постоянный ток истока (Внутренний диод) 49 А В обозначении MOSFET транзистора показан

встроенный обратный p-n переход диода.

Обозначение Мосфет транзистора

ISM Импульсный ток истока (Внутренний диод)(1) 160 А
VSD Прямое напряжение на диоде 1.3 В TJ = 25°C, IS = 25 A, VGS = 0 В (4)
trr Время обратного восстановления 63 95 нс TJ = 25°C, IF = 25 A, di/dt = 100 A/мкс (4)
Qrr Обратное восстановление заряда 170 260 нКл
ton Время включения в прямом направлении Внутреннее время включения незначительно (зависит от суммы индуктивностей LS+LD)
  1. Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена максимальной температурой p-n перехода.
  2. Начальные условия TJ = 25°C, L = 0.48 мГн, RG = 25 Ом, IAS = 25 A.
  3. ISD ≤ 25 A, di/dt ≤ 230 A/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C
  4. Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.
  5. Это типовое значение при разрушении устройства представляет собой работу за пределами номинальных значений.
  6. Эта расчетная величина ограничена температурой TJ = 175°C.
Типичные выходные характеристики
Рис. 1 Типичные выходные характеристики
характеристики при температуре p-n перехода 175°C
Рис. 2 Типичные выходные характеристики при температуре p-n перехода 175°C
Типичные передаточные характеристики
Рис. 3 Типичные передаточные характеристики

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.