К142ЕН8(А-Е), КР142ЕН8(А-Е)

Типовая схема включения ИМС К142ЕН8(А — Е), КР142ЕН8(А — Е); С1 0,33 мкФ
Типовая схема включения ИМС К142ЕН8(А — Е), КР142ЕН8(А — Е); С1 ≥ 0,33 мкФ

 

Электрическая схема включения
Электрическая схема включения

Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Описание

Микросхемы представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной полярности (9, 12 и 15 В) и током нагрузки 1 и 1,5 А. Имеют защиту от перегрузок по току и перегрева кристалла. Содержат 29 интегральных элементов. Корпус К142ЕН8(А — Е) типа 4116.4-2, масса не более 3 г, КР142ЕН8(А — Е) — типа КТ28-2, масса не более 2,5 г. Назначение выводов: 2 — выход; 8 — общий; 17 — вход.

Общие рекомендации по применению

Крепление ИМС осуществляется непосредственно к печатной плате или через переходные элементы методом распайки выводов корпуса на печатную плату. При этом радиатор закрепляется винтами:
к металлической теплоотводящей шине на печатной плате — в случае использования дополнительного теплоотвода, к печатной плате — при отсутствии дополнительного теплоотвода.
В качестве вывода ’’общий” наряду с выводом 8 рекомендуется использовать корпус ИМС.
Допускается подача напряжения на выход ИМС до 15 В при отсутствии напряжения на входе.
Разрешается производить монтаж 2 раза, демонтаж 1 раз.

При всех условиях эксплуатации емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ ± 20 %, а расстояние от конденсатора до ИМС — не более 50 мм. При наличии сглаживающего фильтра входного напряжения (при отсутствии коммутирующих устройств между выходным конденсатором фильтра источника питания и ИМС, приводящих к нарастанию входного напряжения, и длине соединительных проводников не свыше 50 мм) входной емкостью может служить выходная емкость фильтра, если ее значение не менее 0,33 мкФ ± 20 %. В этом случае гарантируется отсутствие генерации на входе с амплитудой, превышающей Uвх,mах. В микросхеме предусмотрена защита от короткого замыкания и перегрузки по току, а также от перегрева кристалла.

Пожароопасный аварийный режим (Т = 25 °С) Ррас = 10 Вт: Iвых = 1,8 А (для К142ЕН8(А — В)); Iвых = 1,2 А (для К142ЕН8(Г — Е)). Низшая резонансная частота микросхем 8 кГц.

 

 
Электрические параметры
Параметры Условия К142ЕН8А К142ЕН8Б К142ЕН8В К142ЕН8Г К142ЕН8Д К142ЕН8Е Ед. изм.
Выходное напряжение при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА 8,73…9,27 11,64…12,36  14,55…15,45 8,64…9,36 11,52…12,48 14,4…15,5 В
Нестабильность по напряжению при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА ≤0,05 ≤0,05 ≤0,05 ≤0,10 ≤0,10 ≤0,10 %/В
Нестабильность по току ≤0,67 ≤0,67 ≤0,67 ≤1,5 ≤1,5 ≤1,5 %/А
Температурный коэффициент напряжения при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА, T = -45…+85 °С ≤0,02 ≤0,02 ≤0,02 ≤0,03 ≤0,03 ≤0,03 %/°С
 Минимальное падение напряжения при Uвх = Uвых+2,5 В ≤2,5 ≤2,5 ≤2,5 ≤2,5  ≤2,5 ≤2,5 В
Ток потребления при Uвх = 35 В ≤10 ≤10 ≤10  — мА
при Uвх = 30 В ≤10 ≤10 ≤10
Дрейф выходного напряжения (за 500 ч) T = 100 °С, Uвх = 18,6 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5 %
T = 100 °С, Uвх = 21,6 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5
T = 100 °С, Uвх = 24,5 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5
Коэффициент сглаживания пульсаций при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 дБ

 

Электрические параметры
Параметры Условия КР142ЕН8А КР142ЕН8Б КР142ЕН8В КР142ЕН8Г КР142ЕН8Д КР142ЕН8Е Ед.изм.
Выходное напряжение при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА 8,73…9,27 11,64…12,36 14,55…15,45 8,64…9,36 11,52…12,48 14,4…15,5 В
Нестабильность по напряжению при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА ≤0,05 ≤0,05 ≤0,05 ≤0,10 ≤0,10 ≤0,10 %/В
Нестабильность по току ≤0,67 ≤0,67 ≤0,67 ≤1,5 ≤1,5 ≤1,5 %/А
Температурный коэффициент напряжения при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА, T = -45…+85 °С ≤0,02 ≤0,02 ≤0,02 ≤0,03 ≤0,03 ≤0,03 %/°С
 Минимальное падение напряжения при Uвх = Uвых+2,5 В ≤2,5 ≤2,5 ≤2,5 ≤2,5 ≤2,5  ≤2,5 В
Ток потребления при Uвх = 35 В ≤10 ≤10 ≤10 мА
при Uвх = 30 В ≤10 ≤10 ≤10
Дрейф выходного напряжения (за 500 ч) T = 100 °С, Uвх = 18,6 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5 %
T = 100 °С, Uвх = 21,6 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5
T = 100 °С, Uвх = 24,5 В, Iвых = 0,5 А ≤1 ≤1,5
Коэффициент сглаживания пульсаций при Uвх = 20 В, Iвых = 10 мА ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 дБ

 

 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К142ЕН8А К142ЕН8Б К142ЕН8В К142ЕН8Г К142ЕН8Д К142ЕН8Е Ед.изм.
Максимальное входное напряжение во всем диапазоне
температур корпуса
35 35 35 30  30 30 В
Максимальный выходной ток при Тк = — 25…+ 75 °С 1,5 1,5 1,5 1 1 1 А
при Тк = — 45…+ 100 °С 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
Максимальная рассеиваемая мощность при Тк = — 45…+ 70 °С 8 8 8 8 8 8 Вт
при Тк = + 100 °С 5 5 5 5 5 5
Температура окружающей среды -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 °С
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР142ЕН8А КР142ЕН8Б КР142ЕН8В КР142ЕН8Г КР142ЕН8Д КР142ЕН8Е Ед.изм.
Максимальное входное напряжение во всем диапазоне
температур корпуса
35 35 35 30 30  30 В
Максимальный выходной ток при Тк = — 25…+ 75 °С 1,5 1,5 1,5 1 1 1 А
при Тк = — 45…+ 100 °С 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
Максимальная рассеиваемая мощность при Тк = — 45…+ 70 °С 8 8 8 8 8 8 Вт
при Тк = + 100 °С 5 5 5 5 5 5
Температура окружающей среды -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 -45…+85 °С