К174ГФ1 — задающий (импульсный) генератор строчной развертки

 

Типовая схема включения ИМС К174ГФ1 в качестве задающего генератора строчной развертки
Типовая схема
включения ИМС
К174ГФ1 в качестве
задающего генератора
строчной развертки

Схема включения ИМС К}74ГФ1 в импульсном источнике питания; RH = = 500 Ом ± 1%
Схема включения
ИМС К174ГФ1 в импульсном
источнике питания; Rн = 500 Ом ± 1%

Описание

Микросхема представляет собой задающий (импульсный) генератор строчной развертки с автоподстройкой частоты и фазы. Применяется в телевизионных устройствах или импульсных источниках питания. Содержит 35 интегральных элементов. Корпус типа 201.14—1 для автоматизированной сборки, масса не более 1 г.

Назначение выводов: 1 ,7 — обратная связь; 2 — регулировка длительности выходного импульса; 3 — общий; 4 — выход; 5 — напряжение питания (+Uп); 6 — регулировка длительности выходного импульса; 8 — контрольный; 9 — не используется; 10 — вход синхронизации; 11 — вход импульса обратного хода; 12 — вход синхронизации; 13 — фильтр; 14 — регулировка частоты.

Общие рекомендации по применению

Частота генерирования выходных импульсов устанавливается навесными регулировочными элементами; сопротивление нагрузки должно быть более 495 Ом. Не рекомендуется подведение электрических сигналов (в том числе шин ”корпус”,  ”питание” и др.) к неиспользуемым выводам микросхемы. При монтаже и эксплуатации микросхемы должны быть приняты меры по защите от воздействия электростатических зарядов с потенциалом более 30 В. Температура пайки 235±5 °С, расстояние от корпуса до места пайки 1±0,5 мм, продолжительность пайки 2,5 с. При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек микросхемы.

 

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К174ГФ1 Ед. изм.
Номинальное напряжение питания 12(+10-20%) В
Амплитуда выходных импульсов при Uп = 12 В, Rн = 500 Ом, fг = 15625 Гц ≥4 В
Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 0,5 кОм ≤20 мА
Длительность выходного импульса при Uп = 12 В, Rн = 0,5 кОм, fг = 15625 Гц 15…25 мкс
Частота генерирования при Uп = 9 и 12 В, Rн = 0,5 кОм верхняя ≥17190 Гц
при Uп = 9 и 12 В, Rн = 0,5 кОм нижняя ≥14060
Полоса захвата при Uп = 12 В, Rн = 0,5 кОм, fг = 15625 Гц ≥±500 Гц
Уход частоты генерирования при изменении температуры окружающей
среды
при Uп = 9 и 12 В, Rн = 0,5 кОм ≤±2 %
Уход частоты генерирования при изменении напряжения питания при Uп = 9 и 12 В, Rн = 0,5 кОм ≤±2 %

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К174ГФ1 Ед.изм.
Напряжение источника питания 9…13,2 В
Сопротивление нагрузки ≥495 Ом
Рабочая температура окружающей среды 1 -10…+70 °С
Изменение температуры окружающей среды -60…+85 °С

1 Допускается кратковременная (до 1000 ч) эксплуатация микросхемы при —20 °С.