К174УН19 — мощный операционный усилитель с внутренней коррекцией

 

Структурная схема ИМС К174УН19
Структурная
схема ИМС К174УН19

Типовая схема включения ИМС К174УН19 в качестве усилителя мощности с двухполярным источником питания при двухполярном источнике питания
Типовая схема включения ИМС К174УН19 в качестве усилителя мощности с двухполярным источником питания при
двухполярном источнике питания

Типовая схема включения ИМС К174УН19 в качестве усилителя мощности с однополярным источником питания при однополярном источнике питания
Типовая схема включения ИМС К174УН19 в качестве усилителя мощности с однополярным источником
питания при однополярном источнике питания

Описание

 

Микросхема является мощным операционным усилителем с внутренней коррекцией. Предназначена для применения в качестве усилителя мощности звуковой частоты в высококачественной звуковоспроизводящей телевизионной аппаратуре. Микросхема имеет мало навесных элементов, широкий диапазон напряжения питания, незначительные коэффициент гармоник и интермодуляционные искажения, тепловую защиту и защиту от короткого замыкания и перегрузок на выходе. Содержит 94 интегральных элемента. Корпус типа 1501.5-1, масса не более 5 г.
В состав микросхемы входят: источник тока (1); входной дифференциальный усилитель (2); фазоинвертор (3); цепи тепловой и токовой защиты (4—6); мощный выходной каскад класса АВ (7) и цепи коррекции АЧХ усилителя. Токовая защита от короткого замыкания нагрузки и перегрузок на выходе работает как ограничитель пиковой мощности и поддерживает рабочую точку, выходных транзисторов в области безопасной работы. Тепловая защита срабатывает при температуре кристалла 150 °С.
Конструкция микросхемы обеспечивает защиту от короткого замыкания нагрузки в течение не более 10 с.
Микросхема может быть включена с однополярным источником питания и разделительным конденсатором на выходе или по мостовой схеме при нагрузке 8 Ом как с однополярным (при этом корпус микросхемы заземляется), так и с двухполярным источниками питания.

В типовых схемах включения при двухполярном источнике питания входное сопротивление R1 ≥ 20 кОм, при однополярном источнике R1 ≥ 100 кОм.

Назначение выводов: 1 — неинвертирующии вход; 2 — инвертирующий вход; 3 — напряжение питания (—Uп); 4 — выход; 5 — напряжение питания(+Uп).

 

Общие рекомендации по применению

При проведении монтажных операций допускается не более одной перепайки выводов микросхемы.
При эксплуатации микросхемы обязательно применение внешнего теплоотвода и пасты типа КПТ-8.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К174УН19 Ед. изм.
Номинальное напряжение питания двухполярное ±15+10% В
однополярное 30±10%
Выходное напряжение при Uп = ±16,5 В 7…7,9 В
Ток потребления при Uп = ±16,5 В 16…56 мА
Выходное напряжение покоя при Uп = ±15 В -20….+20 мВ
Приведенное ко входу напряжение шумов при Uп = ±15 В ≤10 мкВ
Коэффициент усиления напряжения 20…31 дБ
Подавление пульсаций источника питания ≥40 дБ
Коэффициент ослабления на нижней граничной частоте ≤3 дБ
на верхней граничной частоте ≤3
Коэффициент гармоник  при Pвых = 0,1…12 Вт, при Uп = ±15 В ≤0,5 %
 при Pвых = 15 Вт, при Uп = ±15 В ≤10
при Pвых = 10 Вт, при Uп = ±13,5 В ≤10
Граничная частота нижняя 10 Гц
верхняя 30 кГц
Выходная мощность при Rн = 4 Ом ≥15 Вт
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К174УН19 Ед.изм.
Напряжение питания Uп1 6…18 В
Uп2 -6…-18
Входное напряжение ≤±15 В
Выходной ток ≤3,5 А
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса 90°С ≤20 Вт
Сопротивление нагрузки ≥3,2 Ом
Тепловое сопротивление кристалл — корпус ≤3 °С/Вт
Температура кристалла ≤150 °С
Температура окружающей среды -10…+75 °С