К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) — четырехканальные аналоговые ключи

 

Внутренняя схема
Внутренняя схема

Схема включения микросхем К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) с ТТЛ-микросхемами
Схема включения микросхем К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) с ТТЛ-микросхемами

Описание

Микросхемы представляют собой четырехканальные аналоговые ключи с повышенным быстродействием (однополюсное включение) для коммутации напряжения —10…+10 В.

Назначение выводов: 1 — 1-й сток; 2—подложка; 3— 1-й затвор; 4— 1-й исток; 5—2-й исток; 6 —2-й затвор; 7, 10, 15—свободные; 8—2-й сток; 9—3-й сток; 11—3-й затвор; 12—3-й исток; 13—4-й исток; 14—4-й затвор; 16—4-й сток.

1. Время включения для каждого транзистора не превышает 3 нс, типовое значение времени выключения составляет
12 нс при U3подл = 5 В, UCподл = 5 В, Сн = 10 пФ.
2. Запрещается подача каких-либо электрических сигналов на выводы микросхемы, не используемые согласно принципиальной электрической схеме.
3. Потенциал на любом из выводов микросхем должен быть равным или более положительным по отношению к потенциалу на выводе 2.
4. Необходимо учитывать, что подложка К590КН8А, К590КН8Б электрически соединена с корпусом микросхемы.

 

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К590КН8А К590КН8Б КР590КН8А КР590КН8Б Ед. изм.
Номинальное напряжение питания ±12 ±12 ±12 ±12 В
Пороговое напряжение при Ic = 0,01 мА, Т = +25 °С 0,1…2 0,5…2 0,1…2 0,5…2 В
Ток утечки стока при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С не более 50 не более 50 нА
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +25 °С не более 10  не более 10
при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С не более 100 не более 100
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +70 °С не более 70 не более 70
при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С не более 400 не более 400
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +85 °С не более 100 не более 100
Ток утечки истока при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С не более 50 не более 50 нА
при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С не более 100 не более 100
при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С не более 400 не более 400
 Ток утечки затвора  при Uc = 30 В, Т = +25 °С  не более 0,5  не более 0,5  — мкА
 при Uc = 20 В, Т = +25 °С не более 0,5 не более 0,5
Сопротивление сток—исток при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = +25 и -45 °С не более 70 не более 70 не более 70 не более 70 Ом
при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = Tmax не более 100 не более 100 не более 100 не более 100
Сопротивление сток—исток при Uз = 10 В, Iс = 10 мА, Т = +25 °С не более 45 не более 45 не более 45 не более 45 Ом
Входная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 5 не более 5 пФ
Проходная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 1,5 не более 1,5 пФ
Выходная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 8 не более 8 пФ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К590КН8А К590КН8Б КР590КН8А КР590КН8Б Ед.изм.
 Напряжение сток—исток ±20 0…30  ±20 0…30 В
Напряжение сток—подложка 0…25 0…30 0…25 0…30 В
Напряжение исток—подложка 0…25 0…25 0…25 0…25 В
Напряжение затвор—исток ±25 0…20 ±25 0…20 В
Напряжение затвор—сток ±25 0…20 ±25 0…20 В
Напряжение затвор—подложка 0…30 0…20 0…30 0…20 В
Ток стока 50 50 50 50 мА
Рассеиваемая мощность при Т = -45…+40 °С 1 1 1 1 Вт
при Т = +85 °С 0,59 0,59 0,59 0,59
Температура окружающей среды -45…+85 -45…+85 -45…+70  -45…+70 °С

 

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от температуры окру-' жакяцей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем.
Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость порогового напряжения затвор — исток транзисторов микросхем от напряжения исток--подложка.' Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость порогового напряжения
затвор — исток транзисторов микросхем от напряжения исток — подложка. Заштрихована область
разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость порогового напряжения затвор-исток транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость порогового напряжения
затвор-исток транзисторов
микросхем от температуры
окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость тока утечки истока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки истока
транзисторов микросхем от температуры окружающей
среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимость тока утечки стока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значе- .ний параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки стока транзисторов микросхем от температуры окружающей
среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от напряжения затвор—исток при различных значениях напряжения подложка—исток:
Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от напряжения затвор—исток при различных значениях напряжения
подложка—исток:1 — Uи-подл = 0; 2 — Uи-подл = -5 В; 3 — Uи-подл = -10 В; 4 — Uи-подл = -15 В

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от тока стока при различных значениях напряжения затвор— исток
Зависимость сопротивления
открытого канала транзисторов
микросхем от тока стока при различных значениях напряжения затвор—исток