Транзистор КТ312

Цоколевка транзистора КТ312
Цоколевка транзистора КТ312

 

Параметры транзистора КТ312
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ312А 2N702, ST70000 *3
КТ312Б BCY42, 2SC105, BFR25 *3
КТ312В BCY43, 2N703, 2N3340 *1, КТС2669 *3, 2SC380 *3, KSC2669 *1, KSC838 *1
КТ312Б1 2SC33
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max 225 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ312А(1) ≥80 МГц
КТ312Б(1) ≥120
КТ312В(1) ≥120
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ312А(1) 20 В
КТ312Б(1) 35
КТ312В(1) 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ312А(1)  — 4 В
КТ312Б(1) 4
КТ312В(1) 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ312А(1) 30(60*) мА
КТ312Б(1) 30(60*)
КТ312В(1) 30(60*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ312А(1) 20 В ≤10 мкА
КТ312Б(1) 35 В ≤10
КТ312В(1) 20 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ312А(1) 2 В; 20 мА 10…100*
КТ312Б(1) 2 В; 20 мА 25…100*
КТ312В(1) 2 В; 20 мА 50…280*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ312А(1) 10 В ≤5 пФ
КТ312Б(1) 10 В ≤5
КТ312В(1) 10 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ312А(1) ≤40 Ом
КТ312Б(1) ≤40
КТ312В(1) ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ312А(1) 100 МГц ≤6 Дб, Ом, Вт
КТ312Б(1) 100 МГц ≤6
КТ312В(1) 100 МГц ≤6
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ312А(1) ≤500; ≤100* пс
КТ312Б(1) ≤500; ≤130*
КТ312В(1) ≤500; ≤130*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт