2SC4139 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора 2SC4139 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4139 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 15/30 А
Ib Ток базы 5,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 120 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 500 В 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 10 В 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 8,0 A 10 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 12 В, Ie = 1,5 А 10 МГц
Cob Выходная емкость Vce = 10 В, F= 1 МГц 85 пФ
Tf Время спада импульса RI = 25 Ом, Ic = 8,0 A 0,5 мкс