2SC4237 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора 2SC4237 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4237 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Серия мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1200 В).
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 10/20 А
Ib Ток базы 4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 150 Вт
Icbo Обратный ток коллектора 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 A 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 1,5 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 1,0 A 8 МГц
Ton Время включения Ic = 5,0 А 0,5 мкс
Tf Время спада импульса RI = 50 Ом, Ic = 5,0 А 0,3 мкс