2SC4429 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC4429 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4429 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для схем импульсных источников питания.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1100 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора 8 А
Icp Ток коллектора импульсный 25 А
Ib Ток базы 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 5 В, Ic = 0 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,6 A 10 40
Vce = 5 В, Ic = 3,0 A 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А 2,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А 1,5 В
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,6 A 15 МГц
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А, RL = 66,7 Ом 0,3 мкс
Tstg Время установления Ic = 6 А, Ib = 1,2 А, RL = 66,7 Ом 3,0 мкс
2SC4429 K L M
hFE 10   20 15   30 20   40