2SC4769 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC4769 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4769 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Встроенный демпферный диод.
  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 7 А
Icp Ток коллектора импульсный 16 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,7 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,7 А 1,5 В
Rbe Сопротивление резистора Rbe 50 Ом
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 5 А 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 4 А, Ib = 0,8 А 0,1 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 4 А, Ib = 0,8 А 3,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.