2SC5250 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5250 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5250 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный 16 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
V(br)ceo Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞ 800 В
V(br)ebo Напряжение пробоя эмиттер-база Ie = 600 мА, Ic = 0 6 В
Ices Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В 500 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 4 7
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде IF = 8 А 2 В
Tf Время спада импульса  Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц 0,2 0,4 мкс