2SC5696 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5696 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5696 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1600 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1600 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора — — — 12 А
Icp Ток коллектора импульсный — — — 36 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 85 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 — — 10 мкА
Vce = 1600 В, Rbe = 0 — — 1,0 мА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 80 — 800 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 3 — 11 —
Vce = 5 В, Ic = 8,0 A 4 — 7
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7,2 A, Ib = 1,8 А — — 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 7,2 A, Ib = 1,8 А — — 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А — — 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 6 А, Ib = 1,2 А — — 3,0 мкс
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 10 А — — 2,2 В

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.