2SC5859 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5859 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5859 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Пятое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 750 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 23/46 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 210 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 18 А 4,5 — 8 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 18 A, Ib = 4,5 А — — 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения — — — 18 А
Ib Ток базы — — — 11,5 А
Tf Время спада импульса F = 32 кГц — 0,1 0,35 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.