2SC5859 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5859 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5859 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Пятое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 750 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 23/46 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 210 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 18 А 4,5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 18 A, Ib = 4,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 18 А
Ib Ток базы 11,5 А
Tf Время спада импульса F = 32 кГц 0,1 0,35 мкс