2SD1876 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD1876 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD1876 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 3 А
Icp Ток коллектора импульсный 12 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,5 A 8
Vce = 5 В, Ic = 2 A 3 6
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,6 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,6 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 3 А 2 В
Tf Время спада импульса 0,1 0,3 мкс