2SD2196 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора 2SD1796 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD2196 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор общего применения.

Особенности:

  • Мощный составной транзистор.
  •  Напряжение пробоя (Vcbo = 200 В).
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 200 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 12 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 15/22 А
Ib Ток базы — — — 1,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 65 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 200 В — — 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 7 В — — 5,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 3 В, Ic = 10 A 1,5К — 30К —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10 A, Ib = 30,0 мА — — 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 10 A, Ib = 30,0 мА — — 2 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 1,5 A — 20 — МГц
Ton Время включения Ic = 10 А — — 2 мкс
Tf Время спада импульса RI = 3 Ом, Ic = 10 А — — 5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.