2SD2580 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD2580 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD2580 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 10 А
Icp Ток коллектора импульсный 30 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 15 30
Vce = 5 В, Ic = 8,0 A 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 8 А 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А 0,3 мкс