2SD2586 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD2586 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD2586 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 5,0/10 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 3,5 А 4,4 8,5
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,5 A, Ib = 0,8 А 5,0 В
FT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,1 А 2,5 МГц
Ib Ток базы 2,5 А
Tf Время спада импульса F = 15,75 кГц 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.