2SD2634 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SD3634 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD2634 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 6 В
Ic Ток коллектора — — — 8 А
Icp Ток коллектора импульсный — — — 20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C — — 65 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В — — 1,0 мА
Vcb = 800 В — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 — 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 10 — — —
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A 5 — 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 0,9 А — — 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 A, Ib = 0,9 А — — 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 8 А — — 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 3 А, Ib = 0,6 А — — 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.