Транзистор полевой АП325

Цоколевка транзистора АП325
Цоколевка транзистора АП325

 

Описание

Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш < 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС.

 

Параметры транзистора АП325
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог АП325А-2 GAT-5
Структура  — C барьером Шоттки, с n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max АП325А-2 80 мВт, (Вт*)
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор АП325А-2 В
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max АП325А-2 4 В
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max АП325А-2 3 В
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И АП325А-2 мА
Начальный ток стока IС нач, I*С ост АП325А-2 мА
Крутизна характеристики полевого транзистора S АП325А-2 1.5 В; 10 мА ≥5 мА/В
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и АП325А-2 пФ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ АП325А-2 8 ГГц ≥4.5* Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** АП325А-2 8 ГГц ≤2 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT АП325А-2 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.