BU2708AF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2708AF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2708AF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 825 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 А, Ib = 1,33 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 4,0 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 15,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 8 А 1,6 2,0 В
Ts Время установления Ic_sat = 4,0 А, F = 16 кГц 4,8 5,5 мкс
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 4,0 A 6 7,3