BU2720DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2720DF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2720DF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 825 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,5 А, Ib = 1,38 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 5,5 А
Ic Ток коллектора 10,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 25,0 А
Ib Ток базы 10 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 14 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 5,5 А 1,6 В
Ts Время установления Ic_sat = 5,5 А, F = 16 кГц 7,4 8,5 мкс
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5,5 A 6 7,3
Rbe Сопротивление резистора Rbe 65 Ом