BU407 — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора BU407 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU407 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 330 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 150 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 7,0 А
Ip Ток коллектора импульсный t = 10 мс 15 А
Ib Ток базы 4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 60 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 В 1,0 мА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А 1,2 В
fT Граничная частота эффективного усиления 10 МГц
Co Выходная емкость Vcb = 10 В, Ie = 0 В 80 пФ
Tf Время спада импульса  Индуктивная нагрузка Ic = 5,0 А, Ib = 0,5 А 0,75 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.