BU4530AL — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU4530AL и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU4530AL и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10,0 А, Ib = 2,22 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 32 кГц 9,0 А
F = 90 кГц 8,0
Ic Ток коллектора 16 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 40 А
Ib Ток базы 10 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 15 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 125 Вт
Tf Время спада импульса F = 32 кГц, Ic_sat = 9,0 А 200 260 нс
F = 90 кГц, Ic_sat = 8,0 А 120
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10,0 A 6,6 8,5