BU506 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU506 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU506 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и импульсных источников питания.

Особенности:

  •  Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vceo = 700 В
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 700 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3 А, Ib = 1,33 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 3 А
Ic Ток коллектора 5,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 8,0 А
Ib Ток базы 3 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 5 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 100 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,1 А 13 30
Tf Время спада импульса при индуктивной нагрузке 0,7 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.