Транзистор BU508

Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

BU508AF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя
BU508AF Корпус SOT199
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AF
Цоколевка транзистора BU508AF
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

 

BU508AW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя

 

BU508AW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AW
Цоколевка транзистора BU508AW
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

BU508DF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

 

BU508DF Корпус SOT119
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DF
Цоколевка транзистора BU508DF
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

 

 

BU508DW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

 

BU508DW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DW
Цоколевка транзистора BU508DW
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Маркировка Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Bu508AF Vbe = 0 B 1000 В
Bu508AW 1500
Bu508DF
Bu508DW
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной) Bu508AF 700 В
 Bu508AW
Bu508DF
 Bu508DW
Ic Ток коллектора постоянный Bu508AF 8 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Icm Ток коллектора, пиковое значение Bu508AF 15 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе Bu508AF Т = 25°С 34 Вт
Bu508AW  125
Bu508DF 34
Bu508DW 125
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Bu508AF Ic = 4.5 А, Ib = 1.6 А 1 В
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ic_sat Коллекторный ток насыщения К-Э Bu508AF F = 16 кГц 4.5 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ib Ток базы Bu508AF 4 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ibm Ток базы пиковое значение Bu508AF 6 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Vf Падение напряжения на открытом диоде Bu508DF I = 4.5 А 1.6 2 В
Bu508DW
Tf Время спада импульса Bu508AF Ic_sat = 4.5 А, F = 16 кГц 0.7 мкс
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
hfe Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Bu508AF Ic = 100 мА, Vce = 5 В 13 30
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.