BU508AFI — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU508AFI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU508AFI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Vbe = 0 В — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 В — — 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В — — 10 В
Ic Ток коллектора — — — 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 15,0 —
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C — — 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В — — 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,5 А — — 10 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А — — 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А — — 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления  I = 5,0 A — 7 — МГц
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — 0,55 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.