BUH1015HI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора BUH1015HI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUH1015HI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
Ic Ток коллектора 14,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 18,0
Ib Ток базы 8 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) 11 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10,0 А 7 10 14
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 10,0 A, Ib = 2,0 А 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 10,0 A, Ib = 2,0 А 1,5 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,2 мкс