BUH515D — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотразистор

Корпус транзистора BUH515D и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUH515D и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора — — — 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 12,0 —
Ib Ток базы — — — 5 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В — — 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В — — 200 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 5 — 10 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А — — 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А — — 1,3 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 3,0 А — — 2 В
Tf Время спада импульса — — 0,45 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.