BUL216 — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора BUL216 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUL216 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и пусковых схем осветительных приборов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1600 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 9 В
Ic Ток коллектора 4,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 6,0 А
Ib Ток базы 2,0 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) 4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 90 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1600 В, Veb = 0 В 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10,0 мА 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А 1,2 В
Tf Время спада импульса 0,6 мкс