BUT11APX-1200 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BUT11APX-1200 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUT11APX-1200 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 В 1200 В
Vcbo Напряжение коллектор-база (с отключ. эмиттером) 1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 550 В
Ic Ток коллектора 6,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 10 А
Ib Ток базы 3 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 5 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 32 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,5 А 30,0 47,0
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А 1 В
Tf Время спада импульса Ic_sat = 2,5 А, Ib = 0,5 А 170 300 нс