BUT12AF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BUT12AF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUT12AF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания, преобразователей, схем управления моторами.

Особенности:

  • Высоковольтные транзисторовы с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1000 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 450 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э 5,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 5 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 20,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 23 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1 A 20 35,0
Tf Время спада импульса при резистивной нагрузке 0,8 мс