BUW1215 — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора BUW1215 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUW1215 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ и мониторов 21″.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 10,0 В
Ic Ток коллектора 16,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 22,0 А
Ib Ток базы 9,0 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) 12,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 200 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vce = 1500 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Vbe = 5 В, Ic = 0 100 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 12,0 A, Ib = 2,4 А 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 12,0 A, Ib = 2,4 А 1,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 12 А 7 10 14
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,18 мкс