BUX85 — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора BUX85 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUX85 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для импульсных источников питания и пусковых схем осветительных приборов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1000 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 450 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный 2,0 А
Ip Ток коллектора импульсный t = 10 мс 3,0 А
Ib Ток базы 0,75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,1 А 30 50
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,3 А, Ib = 0,03 А 0,8 В
Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А 1
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А 1,1 В
Ton Время включения Резистивная нагрузка 0,3 0,5 мкс
Tf Время спада импульса Резистивная нагрузка 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.