Транзистор ГТ109

Цоколевка ГT109А(Б,В,Г,Д,Е,Ж,И)
Цоколевка ГT109А(Б,В,Г,Д,Е,Ж,И)

 

Описание

Транзисторы германиевые сплавные маломощные. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.1 г.

 

Параметры транзистора ГТ109
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ109А ОС57
ГТ109Б ОС58, 2N77
ГТ109В ОС59
ГТ109Г 2SB90
ГТ109Д 2SA53
ГТ109Е 2N139, 2SA49
ГТ109Ж 2SB90
ГТ109И 2SA49
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max —  — 30 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А — ≥1* МГц
Б — ≥1*
В — ≥1*
Г — ≥1*
Д — ≥3*
Е — ≥5*
Ж — —
И — ≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 18 имп. 10 В
Б 18 имп. 10
В 18 имп. 10
Г 18 имп. 10
Д 18 имп. 10
Е 18 имп. 10
Ж 18 имп. 10
И  18 имп. 10 
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — — В
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А — 20 мА
Б — 20
В — 20
Г — 20
Д — 20
Е — 20
Ж — 20
И — 20
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 5 В ≤5 мкА
Б 5 В ≤5
В 5 В ≤5
Г 5 В ≤5
Д 1.2 В ≤2
Е 1.2 В ≤2
Ж 1.5 В ≤1
И 5 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  5 В; 1 мА 20…50
Б 5 В; 1 мА 35…80
В 5 В; 1 мА 60…130
Г 5 В; 1 мА 110…250
Д 5 В; 1 мА 20…70
Е 5 В; 1 мА 50…100
Ж 1.5 В ≥100*
И 5 В; 1 мА 20…80
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤30 пФ
Б 5 В ≤30
В 5 В ≤30
Г 5 В ≤30
Д 1.2 В ≤40
Е 1.2 В ≤40
Ж — —
И 5 В ≤30
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А — — Ом
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А — — Дб, Ом, Вт
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И 1 кГц ≤12
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А — ≤10000 пс
Б — ≤10000
В — ≤10000
Г — ≤10000
Д — ≤10000
Е — ≤10000
Ж — ≤10000
И — ≤10000

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт