Транзистор ГТ313

Цоколевка транзистора ГТ313
Цоколевка транзистора ГТ313

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ313А AFY11
ГТ313Б 2N1742
ГТ313В 2N741
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  — 100 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥300 МГц
Б ≥450
В ≥350
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 15 В
Б 15
В 15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 0.7 В
Б 0.7
В 0.7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 30 мА
Б 30
В 30
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 12 В ≤5 мкА
Б 12 В ≤5
В 12 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  5 В; 5 мА 20…250
Б 5 В; 5 мА 20…250
В 5 В; 5 мА 30…170
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤2.5 пФ
Б 5 В ≤2.5
В 5 В ≤2.5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А ≤4.6 Ом
Б ≤4.6
В ≤4.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б
В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤75 пс
Б ≤40
В ≤75

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.