Транзистор ГТ322

Цоколевка транзистора ГТ322
Цоколевка транзистора ГТ322

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ322А AF124
ГТ322Б AF275
ГТ322В AF271
ГТ322Г 2SA338
ГТ322Д 2SA321
ГТ322Е 2SA322
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  — 50 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥80 МГц
Б ≥80
В ≥80
Г ≥80
Д ≥80
Е ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 25 В
Б 25
В 25
Г 15
Д 15
Е 15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 0.25 В
Б 0.25
В 0.25
Г 0.25
Д 0.25
Е 0.25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 10 мА
Б 10
В 10
Г 5
Д 5
Е 5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 25 В ≤4 мкА
Б 25 В ≤4
В 25 В ≤4
Г 15 В ≤4
Д 15 В ≤4
Е 15 В ≤4
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  5 В; 1 мА 30…100
Б 5 В; 1 мА 50…120
В 5 В; 1 мА 20…120
Г 5 В; 1 мА 50…120
Д 5 В; 1 мА 20…70
Е 5 В; 1 мА 50…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤1.8 пФ
Б 5 В ≤1.8
В 5 В ≤2.5
Г 5 В ≤2.5
Д 5 В ≤1.8
Е 5 В ≤1.8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А Ом
Б
В
Г
Д
Е
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А 1.6 МГц ≤4 Дб, Ом, Вт
Б 1.6 МГц ≤4
В 1.6 МГц ≤4
Г
Д
Е
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤50 пс
Б ≤100
В ≤200
Г
Д
Е

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.