Транзистор ГТ705

Цоколевка транзистора ГТ705
Цоколевка транзистора ГТ705

 

Параметры транзистора ГТ705
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ705А 2N1292
ГТ705Б 2N4077
ГТ705В 2N326
ГТ705Г 2N1218
ГТ705Д AD161
Структура  — n-p-n Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А  — 15*
Б  — 15*
В  — 15*
Г  — 15*
Д  — 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥0.01** МГц
Б ≥0.01**
В ≥0.01**
Г ≥0.01**
Д ≥0.01
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 0.05к 20* В
Б 0.05к 20*
В 0.05к 30*
Г 0.05к 30*
Д 0.05к 40*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А 10 В
Б 10
В 30
Г 10
Д 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 3.5 А
Б 3.5
В 3.5
Г 3.5
Д 3.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А ≤500 мкА
Б ≤3500
В ≤3500
Г ≤500
Д ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  1 В; 50 мА 30…70*
Б 1 В; 50 мА 50…100*
В 1 В; 50 мА 30…70*
Г 1 В; 50 мА 50…100*
Д 1 В; 50 мА 90…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А пФ
Б
В
Г
Д
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А ≤0.6 Ом
Б ≤0.6
В ≤0.6
Г ≤0.6
Д ≤0.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б
В
Г
Д
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А пс
Б
В
Г
Д

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.