Транзистор ГТ806

Цоколевка транзистора ГТ806
Цоколевка транзистора ГТ806

 

Параметры транзистора ГТ806
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ806А AL102, AUY35
ГТ806Б AL103, AU108
ГТ806В AL100, AUY38
ГТ806Г AUY35
ГТ806Д AU110
Структура  — p-n-p Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А  — 30*
Б  — 30*
В  — 30*
Г  — 30*
Д  — 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥10* МГц
Б ≥10*
В ≥10*
Г ≥10*
Д ≥10*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 0.05к 75 В
Б 0.05к 100
В 0.05к 120
Г 0.05к 50
Д 0.05к 140
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А 1.5 В
Б 1.5
В 1.5
Г 1.5
Д 1.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 15 А
Б 15
В 15
Г 15
Д 15
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А мкА
Б
В
Г
Д
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  10 А 10…100*
Б 10 А 10…100*
В 10 А 10…100*
Г 10 А 10…100*
Д 10 А 10…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А пФ
Б
В
Г
Д
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А ≤0.04 Ом
Б ≤0.04
В ≤0.04
Г ≤0.04
Д ≤0.04
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б
В
Г
Д
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А пс
Б
В
Г
Д

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.