HD1750FX — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора HD1750FX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора HD1750FX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 10,0 В
Ic Ток коллектора 24 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 36 А
Ib Ток базы 12 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) 18 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 75 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vce = 1700 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Vbe = 5 В, Ic = 0 10 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 12,0 A, Ib = 3,0 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 12,0 A, Ib = 3,0 А 1,5 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 12 А 6,5 9,5
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,11 мкс