Транзистор полевой КП307

Цоколевка транзистора КП307
Цоколевка транзистора КП307

 

Описание

Малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП307
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП307А 2N5394
КП307Б 2N4223, 2N4220
КП307В 2N4224
КП307Г MFE2001, 2N4216
КП307Д MFE2002
Структура  — C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП307А 250 мВт, (Вт*)
КП307Б 250
КП307В 250
КП307Г 250
КП307Д 250
КП307Е 250
КП307Ж 250
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП307А 0.5…3 В
КП307Б 1…5
КП307В 1…5
КП307Г 1.5…6
КП307Д 1.5…6
КП307Е ≤2.5
КП307Ж ≤7
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП307А 25; 27* В
КП307Б 25; 27*
КП307В 25; 27*
КП307Г 25; 27*
КП307Д 25; 27*
КП307Е 25; 27*
КП307Ж 25; 27*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП307А 27 В
КП307Б 27
КП307В 27
КП307Г 27
КП307Д 27
КП307Е 27
КП307Ж 27
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП307А 25 мА
КП307Б 25
КП307В 25
КП307Г 25
КП307Д 25
КП307Е 25
КП307Ж 25
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП307А ≤9 мА
КП307Б ≤15
КП307В ≤15
КП307Г 24
КП307Д 8…24
КП307Е ≤5
КП307Ж ≤25
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП307А 10 В 4…9 мА/В
КП307Б 10 В 5…10
КП307В 10 В 5…10
КП307Г 10 В 6…12
КП307Д 10 В 6…12
КП307Е 10 В 3…8
КП307Ж 10 В 4…14
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП307А ≤5; ≤1.5* пФ
КП307Б ≤5; ≤1.5*
КП307В ≤5; ≤1.5*
КП307Г ≤5; ≤1.5*
КП307Д ≤5; ≤1.5*
КП307Е ≤5; ≤1.5*
КП307Ж ≤5; ≤1.5*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП307А Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП307Б
КП307В
КП307Г
КП307Д
КП307Е
КП307Ж
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП307А 1 кГц ≤20** Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП307Б 100 кГц ≤2.5**
КП307В 100 кГц ≤2.5**
КП307Г 400 МГц ≤6
КП307Д 400 МГц ≤6
КП307Е 1 кГц ≤20**
КП307Ж ≤(4·10-17)***
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП307А нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП307Б
КП307В
КП307Г
КП307Д
КП307Е
КП307Ж

 

Параметры транзистора КП307-1
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП307А1 250 мВт, (Вт*)
КП307Б1 250
КП307В1 250
КП307Г1 250
КП307Д1 250
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП307А1 0.5…3 В
КП307Б1 1…5
КП307В1 1.5…6
КП307Г1 ≤2.5
КП307Д1 ≤7
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП307А1 27* В
КП307Б1 27*
КП307В1 27*
КП307Г1 27*
КП307Д1 27*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП307А1 27 В
КП307Б1 27
КП307В1 27
КП307Г1 27
КП307Д1 27
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП307А1 25 мА
КП307Б1 25
КП307В1 25
КП307Г1 25
КП307Д1 25
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП307А1 мА
КП307Б1
КП307В1
КП307Г1
КП307Д1
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП307А1 10 В 4…9 мА/В
КП307Б1 10 В 5…10
КП307В1 10 В 6…12
КП307Г1 10 В 3…8
КП307Д1 10 В 4…14
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП307А1 пФ
КП307Б1
КП307В1
КП307Г1
КП307Д1
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП307А1 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП307Б1
КП307В1
КП307Г1
КП307Д1
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП307А1 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП307Б1
КП307В1
КП307Г1
КП307Д1
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП307А1 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП307Б1
КП307В1
КП307Г1
КП307Д1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.