Транзистор полевой КП704

Цоколевка транзисторов КП610, КП620, КП630, КП640, КП704
Цоколевка транзисторов КП610, КП620, КП630, КП640, КП704

 

Описание

Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП704
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП704А BUZ32
КП704Б BUZ31
Структура С изолированным затвором, с n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП704А 75* мВт, (Вт*)
КП704Б 75*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП704А 1.5…4* В
КП704Б 1.5…4*
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП704А 200 В
КП704Б 200
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП704А ±20 В
КП704Б ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП704А 10; 30* А
КП704Б 10; 30*
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП704А ≤0.8 мА
КП704Б ≤1
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП704А 1 А 1000…2500 мА/В
КП704Б 1 А 1000…2500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП704А 250** пФ
КП704Б 250**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП704А ≤0.35 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП704Б ≤0.5
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП704А Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП704Б
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП704А ≤100; ≤100* нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП704Б ≤100; ≤100*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.