Транзистор полевой КП709

Цоколевка транзисторов КП708, КП709, КП710
Цоколевка транзисторов КП708, КП709, КП710

 

Описание

Мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+100 °С.

 

Параметры транзистора КП709
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП709Б BUZ90A
КП709В BUZ90
Структура С изолированным затвором и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП709А 75* мВт, (Вт*)
КП709Б 75*
КП709В 75*
КП709Г 75*
КП709Д 75*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП709А 2…4 В
КП709Б 2…4
КП709В 2…5
КП709Г 2…5
КП709Д 2…5
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП709А 600 В
КП709Б 600
КП709В 600
КП709Г 500
КП709Д 500
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП709А ±20 В
КП709Б ±20
КП709В ±20
КП709Г ±20
КП709Д ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП709А 4.5; 18* А
КП709Б 4.5; 14*
КП709В 3.5; 16*
КП709Г 4.5; 18*
КП709Д 4; 14*
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП709А ≤0.5 мА
КП709Б ≤0.5
КП709В 20 В ≤0.25
КП709Г 20 В ≤0.25
КП709Д 20 В ≤0.25
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП709А 25 В; 2 А ≥2000 мА/В
КП709Б 25 В; 2 А ≥2000
КП709В 25 В; 2.5 А 1500
КП709Г 25 В; 2.5 А 1500
КП709Д 25 В; 2.5 А 1500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП709А 25 В ≤650; ≤70* пФ
КП709Б 25 В ≤650; ≤70*
КП709В 25 В ≤950
КП709Г 25 В ≤950
КП709Д 25 В ≤950
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП709А ≤4.6 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП709Б ≤2
КП709В ≤2.5
КП709Г ≤1.5
КП709Д ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП709А Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП709Б
КП709В
КП709Г
КП709Д
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП709А ≤50 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП709Б ≤50
КП709В ≤30; 150*
КП709Г ≤30; 150*
КП709Д ≤30; 150*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.