Транзистор полевой КП809

Цоколевка транзисторов КП809, КП810
Цоколевка транзисторов КП809, КП810

 

Параметры транзистора КП809
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП809А IRF340
КП809Б BUZ45
КП809В BUZ94
КП809Д BUZ220 
Структура КП809А nМОП
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП809А 100* мВт, (Вт*)
КП809Б 100*
КП809В 100*
КП809Г 100*
КП809Д 100*
КП809Е 100*
КП809К 150*
КП809А1 50*
КП809Б1 50*
КП809В1 50*
КП809Г1 50*
КП809Д1 50*
КП809Е1 50*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП809А 1.5…5 В
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП809А 400 В
КП809Б 500
КП809В 600
КП809Г 700
КП809Д 800
КП809Е 750
КП809К 400
КП809А1 400
КП809Б1 500
КП809В1 600
КП809Г1 700
КП809Д1 800
КП809Е1 750
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП809А ±20 В
КП809Б ±20
КП809В ±20
КП809Г ±20
КП809Д ±20
КП809Е ±20
КП809К ±20
КП809А1 ±20
КП809Б1 ±20
КП809В1 ±20
КП809Г1 ±20
КП809Д1 ±20
КП809Е1 ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП809А 9.6(35*) А
КП809Б 9.6(35*)
КП809В 9.6(35*)
КП809Г 9.6(35*)
КП809Д 9.6(35*)
КП809Е 9.6(35*)
КП809К 20*
КП809А1 9.6(35*)
КП809Б1 9.6(35*)
КП809В1 9.6(35*)
КП809Г1 9.6(35*)
КП809Д1 9.6(35*)
КП809Е1 9.6(35*)
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП809А 400 В ≤1 мА
КП809Б ≤0.25; ≤1*
КП809В ≤0.25; ≤1*
КП809Г ≤0.25; ≤1*
КП809Д ≤0.25; ≤1*
КП809Е ≤0.25; ≤1*
КП809К ≤0.25; ≤1*
КП809А1 ≤0.25; ≤1*
КП809Б1 ≤0.25; ≤1*
КП809В1 ≤0.25; ≤1*
КП809Г1 ≤0.25; ≤1*
КП809Д1 ≤0.25; ≤1*
КП809Е1 ≤0.25; ≤1*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП809А 20 В; 3 А ≥1500 мА/В
КП809Б 20 В; 3 А ≥1500
КП809В 20 В; 3 А ≥1500
КП809Г 20 В; 3 А ≥1500
КП809Д 20 В; 3 А ≥1500
КП809Е 20 В; 3 А ≥1500
КП809К 20 В; 3 А ≥1500
КП809А1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Б1 20 В; 3 А ≥1500
КП809В1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Г1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Д1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Е1 20 В; 3 А ≥1500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП809А ≤3000; ≤220*
пФ
КП809Б ≤3000; ≤220*
КП809В ≤3000; ≤220*
КП809Г ≤3000; ≤220*
КП809Д ≤3000; ≤220*
КП809Е ≤3000; ≤220*
КП809К ≤3000; ≤220*
КП809А1 ≤3000; ≤220*
КП809Б1 ≤3000; ≤220*
КП809В1 ≤3000; ≤220*
КП809Г1 ≤3000; ≤220*
КП809Д1 ≤3000; ≤220*
КП809Е1 ≤3000; ≤220*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП809А ≤0.3 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП809Б ≤0.6
КП809В ≤1.2
КП809Г ≤1.5
КП809Д ≤1.8
КП809Е ≤2.5
КП809К ≤0.15
КП809А1 ≤0.3
КП809Б1 ≤0.6
КП809В1 ≤1.2
КП809Г1 ≤1.5
КП809Д1 ≤1.8
КП809Е1 ≤2.5
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП809А Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП809А tсп≤100 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП809Б tсп≤100
КП809В tсп≤100
КП809Г tсп≤100
КП809Д tсп≤100
КП809Е tсп≤100
КП809К tсп≤100
КП809А1 tсп≤100
КП809Б1 tсп≤100
КП809В1 tсп≤100
КП809Г1 tсп≤100
КП809Д1 tсп≤100
КП809Е1 tсп≤100

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.