Транзистор КТ117

Цоколевка транзистора КТ117
Цоколевка транзистора КТ117

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ117А BRY56
КТ117Б 2N2647
КТ117В 2N4893
КТ117Г MU4894
Структура  — n-база
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  60 °C 150 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ117А ≥5* МГц
КТ117Б ≥5*
КТ117В ≥5*
КТ117Г ≥5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ117А 30** В
КТ117Б 15**
КТ117В 15**
КТ117Г 30**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ117А  — 10 В
КТ117Б 10
КТ117В 10
КТ117Г 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ117А 50 мА
КТ117Б 50
КТ117В 50
КТ117Г 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ117А 30 В ≤1 мкА
КТ117Б 30 В ≤1
КТ117В 30 В ≤1
КТ117Г 30 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ117А  UБ1Б2 = 10 В 0.5…0.7
КТ117Б UБ1Б2 = 10 В 0.65…0.9
КТ117В UБ1Б2 = 10 В 0.5…0.7
КТ117Г UБ1Б2 = 10 В 0.65…0.9
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ117А пФ
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ117А Ом
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ117А Дб, Ом, Вт
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ117А пс
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.