Транзистор КТ201

Цоколевка транзистора КТ201
Цоколевка транзистора КТ201

Цоколевка транзистора КТ201-М
Цоколевка транзистора КТ201-М

 

 

Параметры транзисторов КТ201, КТ201-М
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ201А 2N2432, 2N1006
КТ201АМ 2N3565
КТ201Б 2N2432A, 2N1006
КТ201БМ MPS9601
КТ201В 2N1590, 2N1589 *1, 2N1586*3
КТ201ВМ MPS9600, 2N1589 *1, 2N1586*3
КТ201Г 2N2617, 2N1592*1
КТ201ГМ 2N2932, 2N1592*1
КТ201Д 2N2617, 2N1589 *1, 2N1586*3
КТ201ДМ 2N2933, 2N1589 *1, 2N1586*3
Структура  — n-p-n мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ201А(М) 90 ºС 150
КТ201Б(М)  — 150
КТ201В(М)  — 150
КТ201Г(М)  — 150
КТ201Д(М)  — 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ201А(М) ≥10 МГц
КТ201Б(М) ≥10
КТ201В(М) ≥10
КТ201Г(М) ≥10
КТ201Д(М) ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ201А(М) 0.05к 20 В
КТ201Б(М) 0.05к 20
КТ201В(М) 0.05к 10
КТ201Г(М) 0.05к 10
КТ201Д(М) 0.05к 10
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ201А(М) 20 В
КТ201Б(М) 20
КТ201В(М) 10
КТ201Г(М) 10
КТ201Д(М) 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ201А(М) 20(100*) мА
КТ201Б(М) 20(100*)
КТ201В(М) 20(100*)
КТ201Г(М) 20(100*)
КТ201Д(М) 20(100*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ201А(М) 20 В ≤1 мкА
КТ201Б(М) 20 В ≤1
КТ201В(М) 20 В ≤1
КТ201Г(М) 20 В ≤1
КТ201Д(М) 20 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ201А(М)  (1 В; 5 мА) 20…60
КТ201Б(М) (1 В; 5 мА) 30…90
КТ201В(М) (1 В; 5 мА) 30…90
КТ201Г(М) (1 В; 5 мА) 70…210
КТ201Д(М) (1 В; 5 мА) 30…90
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ201А(М) ≤20 пФ
КТ201Б(М) ≤20
КТ201В(М) ≤20
КТ201Г(М) ≤20
КТ201Д(М) ≤20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ201А(М) Ом
КТ201Б(М)
КТ201В(М)
КТ201Г(М)
КТ201Д(М)
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ201А(М) Дб, Ом, Вт
КТ201Б(М)
КТ201В(М)
КТ201Г(М)
КТ201Д(М) 1 кГц ≤15
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ201А(М) пс
КТ201Б(М)
КТ201В(М)
КТ201Г(М)
КТ201Д(М)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт