Транзистор КТ215

Цоколевка транзисторов КТ214, КТ215
Цоколевка транзисторов КТ214, КТ215

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ215А-1 50
КТ215Б-1 50
КТ215В-1 50
КТ215Г-1 50
КТ215Д-1 50
КТ215Е-1 50
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ215А-1 ≥5 МГц
КТ215Б-1 ≥5
КТ215В-1 ≥5
КТ215Г-1 ≥5
КТ215Д-1 ≥5
КТ215Е-1 ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ215А-1 80** В
КТ215Б-1 80**
КТ215В-1 60**
КТ215Г-1 40**
КТ215Д-1 30**
КТ215Е-1 20**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ215А-1 5 В
КТ215Б-1 5
КТ215В-1 5
КТ215Г-1 5
КТ215Д-1 5
КТ215Е-1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ215А-1 50(100*) мА
КТ215Б-1 50(100*)
КТ215В-1 50(100*)
КТ215Г-1 50(100*)
КТ215Д-1 50(100*)
КТ215Е-1 50(100*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ215А-1 30 В ≤100* мкА
КТ215Б-1 30 В ≤100*
КТ215В-1 30 В ≤100*
КТ215Г-1 30 В ≤100*
КТ215Д-1 30 В ≤100*
КТ215Е-1 30 В ≤100*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ215А-1 (5 В; 10 мА) ≥20
КТ215Б-1 (5 В; 10 мА) 30…90
КТ215В-1 (5 В; 10 мА) 40…120
КТ215Г-1 (5 В; 10 мА) 40…120
КТ215Д-1 (1 В; 40 мА) ≥80
КТ215Е-1 (1 В; 40 мкА) ≥40
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ215А-1 10 В ≤50 пФ
КТ215Б-1 10 В ≤50
КТ215В-1 10 В ≤50
КТ215Г-1 10 В ≤50
КТ215Д-1 10 В ≤50
КТ215Е-1 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ215А-1 ≤60 Ом
КТ215Б-1 ≤60
КТ215В-1 ≤60
КТ215Г-1 ≤60
КТ215Д-1 ≤60
КТ215Е-1 ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ215А-1 ≥1200* Дб, Ом, Вт
КТ215Б-1 ≥1200*
КТ215В-1 ≥1200*
КТ215Г-1 ≥1200*
КТ215Д-1 ≥1200*
КТ215Е-1 ≥1200*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ215А-1 пс
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.