Транзистор КТ306

Цоколевка транзистора КТ306
Цоколевка транзистора КТ306

Цоколевка транзистора КТ306М
Цоколевка транзистора КТ306М

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ306А BSX66
КТ306Б 2SC601
КТ306В 2SC400
КТ306Г BSX67
КТ306Д BSX67
КТ306АМ MPS2713
КТ306БМ MPS2713
КТ306ВМ MPS834
КТ306ГМ MPS2714
КТ306ДМ MPS834
Структура  — n-p-n мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ306А(М) 90 °C 150
КТ306Б(М) 90 °C 150
КТ306В(М) 90 °C 150
КТ306Г(М) 90 °C 150
КТ306Д(М) 90 °C 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ306А(М) ≥300 МГц
КТ306Б(М) ≥500
КТ306В(М) ≥300
КТ306Г(М) ≥500
КТ306Д(М) ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ306А(М) 15 В
КТ306Б(М) 15
КТ306В(М) 15
КТ306Г(М) 15
КТ306Д(М) 15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ306А(М) 4 В
КТ306Б(М) 4
КТ306В(М) 4
КТ306Г(М) 4
КТ306Д(М) 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ306А(М) 30(50*) мА
КТ306Б(М) 30(50*)
КТ306В(М) 30(50*)
КТ306Г(М) 30(50*)
КТ306Д(М) 30(50*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ306А(М) 15 В ≤0.5 мкА
КТ306Б(М) 15 В ≤0.5
КТ306В(М) 15 В ≤0.5
КТ306Г(М) 15 В ≤0.5
КТ306Д(М) 15 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ306А(М) (1 В; 10 мА) 20…60*
КТ306Б(М) (5 В; 10 мА) 40…120*
КТ306В(М) (1 В; 10 мА) 20…100*
КТ306Г(М) (1 В; 10 мА) 40…200*
КТ306Д(М) (1 В; 10 мА) 30…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ306А(М) 5 В ≤5 пФ
КТ306Б(М) 5 В ≤5
КТ306В(М) 5 В ≤5
КТ306Г(М) 5 В ≤5
КТ306Д(М) 5 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ306А(М) ≤30 Ом
КТ306Б(М) ≤30
КТ306В(М)
КТ306Г(М)
КТ306Д(М)
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ306А(М) Дб, Ом, Вт
КТ306Б(М)
КТ306В(М) ≤30*
КТ306Г(М) ≤30*
КТ306Д(М) ≤30*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ306А(М) ≤30* пс
КТ306Б(М) ≤30*
КТ306В(М) ≤500
КТ306Г(М) ≤500
КТ306Д(М) ≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.