| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ3127А | BF182, BF183, BF740 *3, BF579 *3, BFQ52 *2 | |||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ3127А | 35 °C | 100 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ3127А | — | ≥600 | МГц |
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3127А | — | 20 | В |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3127А | — | 3 | В |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3127А | — | 25 | мА |
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3127А | 15 В | ≤1 | мкА |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3127А | 5 В; 3 мА | 25…100 | |
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3127А | 10 В | ≤1 | пФ |
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ3127А | — | — | Ом, дБ |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ3127А | 1 ГГц | ≤5 | Дб, Ом, Вт |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3127А | — | ≤10 | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.