Транзистор КТ3129

Цоколевка транзистора КТ3129
Цоколевка транзистора КТ3129

 

Параметры транзистора КТ3129
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3129А-9 ВС857, BCW89, 2SA499 *1, BSS69 *2, FMMTA70
КТ3129Б-9 ВС858, BCW69, EN3250 *3, MPS6517 *1, MPS6516 *3, BSS70, 2SA1547 *1, 2SA1561 *1, BCX78-7 *3
КТ3129В-9 ВСХ71, BCF29, BCW29, BC205A *3, BSY41 *3, ВС260В *1, ВС250В *1
КТ3129Г-9 ВС858В, BCF30, BCW30, BCW30R *3, CIL213 *3, BC179B *3, BC179 *3, ВС253В *3, ВС206В *1, ВС205В *1, ВС260С *1, ВС250С *1
КТ3129Д-9 2SB709,  BCW30R *3, CIL213 *3, BC179B *3, BC179 *3, ВС253В *3, ВС206В *1, ВС205В *1, ВС260С *1, ВС250С *1
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ3129А-9 75(100**) мВт
КТ3129Б-9 75(100**)
КТ3129В-9 75(100**)
КТ3129Г-9 75(100**)
КТ3129Д-9 75(100**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3129А-9 ≥200 МГц
КТ3129Б-9 ≥200
КТ3129В-9 ≥200
КТ3129Г-9 ≥200
КТ3129Д-9 ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3129А-9 50 В
КТ3129Б-9 50
КТ3129В-9 30
КТ3129Г-9 30
КТ3129Д-9 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3129А-9  — 5 В
КТ3129Б-9 5
КТ3129В-9 5
КТ3129Г-9 5
КТ3129Д-9 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3129А-9 100(200*) мА
КТ3129Б-9 100(200*)
КТ3129В-9 100(200*)
КТ3129Г-9 100(200*)
КТ3129Д-9 100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3129А-9 50 В ≤1 мкА
КТ3129Б-9 50 В ≤1
КТ3129В-9 50 В ≤1
КТ3129Г-9 50 В ≤1
КТ3129Д-9 50 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3129А-9 5 В; 2 мА 30…120
КТ3129Б-9 5 В; 3 мА 80…250
КТ3129В-9 5 В; 2 мА 80…250
КТ3129Г-9 5 В; 2 мА 200…500
КТ3129Д-9 5 В; 2 мА 200…500
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3129А-9 10 В ≤10 пФ
КТ3129Б-9 10 В ≤10
КТ3129В-9 10 В ≤10
КТ3129Г-9 10 В ≤10
КТ3129Д-9 10 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3129А-9 ≤20 Ом, дБ
КТ3129Б-9 ≤20
КТ3129В-9 ≤20
КТ3129Г-9 ≤20
КТ3129Д-9 ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3129А-9 Дб, Ом, Вт
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3129А-9 пс
КТ3129Б-9
КТ3129В-9
КТ3129Г-9
КТ3129Д-9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт